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華南檢測技術：深入解析芯片IV曲線與SAT測試案例
發布時間：2024-11-26 點擊次數：6992
一、芯片案例背景：芯片檢測的挑戰與需求
在最近的一個項目中，我們收到了客戶送來的1Pc芯片樣品，要求進行I-V測試、X-ray掃描、SAT掃描。這些測試對于評估芯片的性能和可靠性至關重要。我們的專業團隊立即著手，以確保為客戶提供準確的芯片檢測結果。
二、芯片分析過程：深入的芯片檢測技術
1. 外觀檢查：
首先，我們使用光學顯微鏡對芯片正表面進行了細致的外觀檢查。結果顯示芯片正表面存在孔洞，疑似燒傷痕跡，這可能是由于電過載（EOS）造成的損傷。
2. X-Ray測試：
進一步的X-Ray射線檢查揭示了芯片內部鍵合線存在斷線形貌，這進一步證實了EOS損傷的假設。X-Ray測試是芯片檢測中不可或缺的一環，它能夠透視芯片內部結構，發現潛在的物理損傷。
3. SAT檢查：
SAT（超聲波掃描顯微鏡）檢查進一步確認了我們的發現。檢查顯示芯片表面及引線框表面均有明顯分層形貌，這是EOS損傷的直接證據。SAT檢查以其高分辨率和非破壞性特點，在芯片檢測中扮演著關鍵角色。
4. 電性能測試：
最后，我們進行了I-V測試，以評估芯片的電性能。測試曲線顯示14引腳為開路，而其他引腳測試則顯示出明顯的曲線。這一結果直接指向了芯片的電性能問題，進一步證實了EOS損傷的影響。
三、芯片分析結果：芯片檢測的結論
綜合外觀檢查、X-ray檢測、SAT掃描檢測及I-V曲線測試的結果，我們推斷該芯片在使用過程中存在EOS，導致鍵合引線損壞而失效。這一結論為客戶的后續行動提供了明確的指導，幫助他們理解芯片失效的原因，并采取相應的措施。
華南檢測：http://m.gdkanglide.cn/websiteMap
廣東省華南檢測技術有限公司專注于失效分析、材料分析、成分分析、可靠性測試、配方分析等檢測分析服務，擁有CMA和CNAS資質。公司坐落于東莞大嶺山鎮，鄰近松山湖高新技術產業開發區，配備了行業內先進的測試設備和專業技術團隊。華南檢測技術有限公司的客戶涵蓋多個行業，包括半導體、電子元件、納米材料、通信、新能源、汽車、航空航天、教育和科研等領域。
